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#SK하이닉스
3분기 HBM 비중 30% / 4분기 40% 도달 예상 / eSSD비중 60%dltkd
레거시 보수적 생산 및 출하 지속
수요둔화 제품 선단공정으로 조기전환
선단공정 중심 전환 투자 집행, 인프라 투자 : 올해대비 내년 증가할것
PC디램 LPDDR5 비중 상당함
향후 고성능 저전력 수요증가 할것
25년 모바일 시장 미드싱글 성장 예상
#캐팩스 투자
M15X와 용인 클러스터 1기팹 투자로 올해보다 소폭 증가
중국 공급사 레거시 진출 가속화로 디랩 수급 부정적영향
25년 HBM3E 비중 증가로 평균 가격 상승할것
HBM 25년 솔드아웃, 추가 수요 대응 여력 필요
TSV 캐파 22년 대비 2배 이상 확보하겠다는 계획중
3e 수요 빠르게 증가해 레거시 공정을 선단공정으로 전환해 수요 대응할것
12단 제품 9월 부터 양산 개시 25년은 상반기중 8단 물량 넘어서고 하반기는 12단이 대부분 될것
hbm 고대역 고성능 구현위해 다이사이즈 일반 디램 대비 2~3배 웨이퍼 캐파 필요
12단은 더 많이 필요 hbm4로 전환되면 더 확대 .. 점점 확대 될것
HBM4에서는 I/O 2배 증가, 저전력 위해 새 스킴 적용, 로직 파운드리 기술 활용
고객수요 기반해 생산규모 결정으로 , 선단 공정으로 칩사이즈를 줄여 원가 낮추는것 보다
고객 요구 성능의 제품을 적기에 공급하는게 더 중요함
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